包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2750}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.2V@30μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.8nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.147nF@10V

连续漏极电流：3.8A

类型：1个N沟道

导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：2527}

包装规格(MPQ)：268psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SGB15N60

ECCN：EAR99

包装方式：散装

集电极截止电流(Ices)：600V

类型：NPT(非穿通型)

导通损耗：0.57mJ

工作温度：-55℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：178W

阈值电压：4.5V@900μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：79nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.194nF@400V

连续漏极电流：38A

类型：1个N沟道

导通电阻：55mΩ@18A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：178W

阈值电压：4.5V@900μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：79nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.194nF@400V

连续漏极电流：38A

类型：1个N沟道

导通电阻：55mΩ@18A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：127W

阈值电压：4.5V@630μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：53nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.513nF@400V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：90mΩ@12.5A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W€2.1W

阈值电压：2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：16nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.2nF@12V

连续漏极电流：40A€16A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.6mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：196520}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0901NSIATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W€69W

阈值电压：2.2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：41nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.6nF@15V

连续漏极电流：25A€40A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.1mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：2527}

包装规格(MPQ)：268psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SGB15N60

ECCN：EAR99

包装方式：散装

集电极截止电流(Ices)：600V

类型：NPT(非穿通型)

导通损耗：0.57mJ

工作温度：-55℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"06+"：1530}

销售单位：个

规格型号(MPN)：SGW20N60HS

ECCN：EAR99

集电极截止电流(Ices)：600V

类型：NPT(非穿通型)

导通损耗：0.69mJ

工作温度：-55℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：178W

阈值电压：4.5V@900μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：79nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.194nF@400V

连续漏极电流：38A

类型：1个N沟道

导通电阻：55mΩ@18A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：178W

阈值电压：4.5V@900μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：79nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.194nF@400V

连续漏极电流：38A

类型：1个N沟道

导通电阻：55mΩ@18A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：2527}

包装规格(MPQ)：268psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SGB15N60

ECCN：EAR99

包装方式：散装

集电极截止电流(Ices)：600V

类型：NPT(非穿通型)

导通损耗：0.57mJ

工作温度：-55℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：196520}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0901NSIATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W€69W

阈值电压：2.2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：41nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.6nF@15V

连续漏极电流：25A€40A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.1mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRGSL15B60KDPBF-INF

ECCN：EAR99

栅极阈值电压(Vge(th))：2.2V@15V，15A

关断延迟时间：184ns

关断损耗：0.34mJ

开启延迟时间：34ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：56nC

类型：NPT(非穿通型)

导通损耗：0.22mJ

工作温度：-55℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPZA65R018CFD7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：446W

阈值电压：4.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：234nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：106A

类型：MOSFET

导通电阻：18mΩ

漏源电压：700V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPZA65R018CFD7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：446W

阈值电压：4.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：234nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：106A

类型：MOSFET

导通电阻：18mΩ

漏源电压：700V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA2

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：6A

类型：MOSFET

导通电阻：660mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA2

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：6A

类型：MOSFET

导通电阻：660mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1308}

包装规格(MPQ)：1700psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPDD60R105CFD7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：198W

阈值电压：4.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：31A

类型：MOSFET

导通电阻：105mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：18900}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0704LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：1.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：11.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1700psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPDD60R190G7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：76W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1