品牌:LRC
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):L2N7002KN3T5G
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250μA
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.8Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):L2N7002KN3T5G
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250μA
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.8Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):L2N7002KN3T5G
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250μA
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.8Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LSI1012XT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:750pC@4.5V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:410mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LSI1012XT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:750pC@4.5V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:410mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):L2N7002KN3T5G
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250μA
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.8Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: