销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002DW-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：200mW

阈值电压：2V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：50pF@25V

连续漏极电流：115mA

类型：2N沟道（双）

导通电阻：7.5Ω@50mA，5V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002W-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：200mW

阈值电压：2V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：50pF@25V

连续漏极电流：115mA

类型：N沟道

导通电阻：7.5Ω@50mA，5V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI2102-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：200mW

阈值电压：1.2V@50µA

栅极电荷：10nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：300pF@10V

连续漏极电流：2.1A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@3.6A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002KWHE3-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：200mW

阈值电压：2V@1mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：40pF@10V

连续漏极电流：340mA

类型：N沟道

导通电阻：2.5Ω@300mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：200mW

阈值电压：2.5V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：50pF@25V

连续漏极电流：115mA

类型：N沟道

导通电阻：7.5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002KWA-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：200mW

阈值电压：2V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：40pF@10V

连续漏极电流：340mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002W-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：200mW

阈值电压：2V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：50pF@25V

连续漏极电流：115mA

类型：N沟道

导通电阻：7.5Ω@50mA，5V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3134KWA-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：200mW

阈值电压：1.1V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：0.8nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：33pF@16V

连续漏极电流：750mA

类型：N沟道

导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI2102-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：200mW

阈值电压：1.2V@50µA

栅极电荷：10nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：300pF@10V

连续漏极电流：2.1A

类型：N沟道

导通电阻：60mΩ@3.6A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002KWA-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：200mW

阈值电压：2V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：40pF@10V

连续漏极电流：340mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002KW-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：200mW

阈值电压：2.5V@1mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：40pF@10V

连续漏极电流：340mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002W-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：200mW

阈值电压：2V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：50pF@25V

连续漏极电流：115mA

类型：N沟道

导通电阻：7.5Ω@50mA，5V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002DW-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：200mW

阈值电压：2V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：50pF@25V

连续漏极电流：115mA

类型：2N沟道（双）

导通电阻：7.5Ω@50mA，5V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：200mW

阈值电压：2.5V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：50pF@25V

连续漏极电流：115mA

类型：N沟道

导通电阻：7.5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002KWA-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：200mW

阈值电压：2V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：40pF@10V

连续漏极电流：340mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：200mW

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：50pF@25V

连续漏极电流：115mA

类型：N沟道

导通电阻：7.5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SK3018-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：200mW

阈值电压：1.5V@100µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13pF@5V

连续漏极电流：100mA

类型：N沟道

导通电阻：8Ω@10mA，4V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1