销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3139KEA-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

阈值电压：1.1V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：0.86nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：40pF@16V

连续漏极电流：600mA

类型：P沟道

导通电阻：850mΩ@500mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3134KE-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

阈值电压：1.1V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：120pF@16V

连续漏极电流：750mA

类型：N沟道

导通电阻：380mΩ@650mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 NPN - 预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3134K-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

阈值电压：1V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：120pF@16V

连续漏极电流：750mA

类型：N沟道

导通电阻：800mΩ@450mA，1.8V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3139KEA-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

阈值电压：1.1V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：0.86nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：40pF@16V

连续漏极电流：600mA

类型：P沟道

导通电阻：850mΩ@500mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002T-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

阈值电压：2V@250µA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：50pF@25V

连续漏极电流：115mA

类型：N沟道

导通电阻：13.5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3134KDW-TP

工作温度：150℃

功率：150mW

阈值电压：1.1V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：120pF@16V

连续漏极电流：750mA

类型：2N沟道（双）

导通电阻：380mΩ@650mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3139K-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

阈值电压：800mV@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：170pF@16V

连续漏极电流：660mA

类型：P沟道

导通电阻：950mΩ@500mA，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SK3019-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

阈值电压：1.5V@100µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13pF@5V

连续漏极电流：100mA

类型：N沟道

导通电阻：8Ω@10mA，4V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SK3019-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

阈值电压：1.5V@100µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13pF@5V

连续漏极电流：100mA

类型：N沟道

导通电阻：8Ω@10mA，4V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3134KDW-TP

工作温度：150℃

功率：150mW

阈值电压：1.1V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：120pF@16V

连续漏极电流：750mA

类型：2N沟道（双）

导通电阻：380mΩ@650mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SK3019-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

阈值电压：1.5V@100µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13pF@5V

连续漏极电流：100mA

类型：N沟道

导通电阻：8Ω@10mA，4V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SK3019A-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

阈值电压：1.5V@100µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13pF@5V

连续漏极电流：100mA

类型：N沟道

导通电阻：8Ω@10mA，4.5V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 NPN - 预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MC7252KDW-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

阈值电压：2.5V@1mA€2V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：340mA€180mA

类型：N和P沟道

漏源电压：60V€50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MC7252KDW-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

阈值电压：2.5V@1mA€2V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：340mA€180mA

类型：N和P沟道

漏源电压：60V€50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3134KE-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

阈值电压：1.1V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：120pF@16V

连续漏极电流：750mA

类型：N沟道

导通电阻：380mΩ@650mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3139KE-TP

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

阈值电压：1.1V@250µA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：170pF@6V

连续漏极电流：660mA

类型：P沟道

导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1