采购热线 400-661-9010
品牌：MICROSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT6017LFLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MICROSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT6017LFLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MICROSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：VRF2944
功率：170V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
连续漏极电流：170V
类型：N 通道
漏源电压：170V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MICROSEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT50GT120B2RDLG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：215ns
关断损耗：1910µJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：240nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：3.7V@15V，50A
导通损耗：3585µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MICROSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT50M65JLL
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7010pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@29A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MICROSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT50M65JLL
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7010pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@29A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
