品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10090BLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@6A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT7F120S
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2565pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@3A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT5014SLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:403W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3261pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@17.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT24F50B
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3630pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT30F50B
工作温度:-55℃~150℃
功率:415W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4525pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@14A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT13F120B
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4765pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@7A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT18M100B
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4845pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@9A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT34F60B
工作温度:-55℃~150℃
功率:624W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6640pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT13F120B
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4765pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@7A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT7M120B
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2565pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT42F50B
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6810pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@21A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT22F80B
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4595pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@12A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT37F50B
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5710pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@18A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1204R7BFLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:135W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:715pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:4.7Ω@1.75A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT7M120B
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2565pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT7F120S
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2565pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@3A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1201R2BFLLG
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2540pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:1.25Ω@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT14M120B
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4765pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@7A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10090BLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@6A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT5014SLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:403W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3261pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@17.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT5014SLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:403W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3261pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@17.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT24F50B
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3630pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APTM50H14FT3G
工作温度:-40℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:3259pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:168mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10078BLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:403W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2525pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@7A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1201R2BFLLG
栅极电荷:100nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:1200V
输入电容:2540pF@25V
导通电阻:1.25Ω@6A,10V
包装方式:管件
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT34F60S
工作温度:-55℃~150℃
功率:624W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6640pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT13F120B
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
栅极电荷:145nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
导通电阻:1.4Ω@7A,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:14A
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:4765pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT7F120S
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
类型:N沟道
漏源电压:1200V
导通电阻:2.4Ω@3A,10V
包装方式:管件
阈值电压:5V@1mA
输入电容:2565pF@25V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):1psc
规格型号(MPN):APTM50H14FT3G
漏源电压:500V
输入电容:3259pF@25V
类型:4N沟道(全桥)
功率:208W
阈值电压:5V@1mA
工作温度:-40℃~150℃
包装方式:散装
导通电阻:168mΩ@13A,10V
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT7M120B
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:1200V
连续漏极电流:8A
包装方式:管件
阈值电压:5V@1mA
输入电容:2565pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: