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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2224N3-G
连续漏极电流：540mA
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@5mA
类型：N沟道
包装方式：袋
漏源电压：240V
导通电阻：1.25Ω@2A，10V
功率：1W
ECCN：EAR99
输入电容：350pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10KN3-G
包装方式：袋
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
功率：1W
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0106N3-G
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3Ω@1A，10V
功率：1W
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：350mA
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP0701N3-G
包装方式：袋
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：16.5V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
导通电阻：1.5Ω@300mA，5V
功率：1W
输入电容：250pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0106N3-G
导通电阻：3Ω@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装方式：袋
阈值电压：2V@500µA
输入电容：60pF@25V
功率：1W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N3-G
包装方式：袋
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：300pF@25V
功率：1W
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
连续漏极电流：120mA
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2106N3-G
包装方式：袋
连续漏极电流：300mA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：4Ω@500mA，10V
阈值电压：2.4V@1mA
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：250mA
导通电阻：8Ω@500mA，10V
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：袋
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2540N3-G
导通电阻：12Ω@500mA，10V
包装方式：袋
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：175mA
功率：1W
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
输入电容：125pF@25V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
包装方式：袋
导通电阻：20Ω@100mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@2mA
输入电容：150pF@25V
漏源电压：600V
连续漏极电流：160mA
功率：1W
类型：N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2540N3-G
导通电阻：12Ω@500mA，10V
包装方式：袋
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：175mA
功率：1W
类型：N沟道
阈值电压：2V@1mA
输入电容：125pF@25V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104N3-G
功率：740mW
包装方式：袋
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：175mA
阈值电压：2V@1mA
导通电阻：6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
包装方式：袋
阈值电压：4.5V@1mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
功率：1W
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0604N3-G
功率：740mW
包装方式：袋
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：1.6V@1mA
输入电容：190pF@20V
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@1.5A，10V
连续漏极电流：700mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN3205N3-G
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
输入电容：300pF@25V
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：2.4V@10mA
包装方式：袋
导通电阻：300mΩ@3A，10V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0104N3-G
包装方式：袋
连续漏极电流：450mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：1W
阈值电压：1.6V@500µA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@1A，10V
输入电容：70pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3Ω@1A，10V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
功率：6.25W
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
包装方式：袋
阈值电压：4.5V@1mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
功率：1W
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0604N3-G
功率：740mW
包装方式：袋
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
连续漏极电流：430mA
输入电容：150pF@20V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
包装方式：袋
阈值电压：4.5V@1mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
功率：1W
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：2N6661
漏源电压：90V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
阈值电压：2V@1mA
功率：6.25W
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：350mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2106N3-G
包装方式：袋
连续漏极电流：300mA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：4Ω@500mA，10V
阈值电压：2.4V@1mA
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N3-G
功率：740mW
漏源电压：500V
包装方式：袋
导通电阻：30Ω@100mA，10V
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：100mA
阈值电压：3.5V@1mA
输入电容：190pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3Ω@1A，10V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
功率：6.25W
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：VN2210N2
输入电容：500pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
阈值电压：2.4V@10mA
包装方式：袋
导通电阻：350mΩ@4A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N3-G
漏源电压：500V
包装方式：袋
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@1mA
输入电容：150pF@25V
功率：1W
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2222LL-G
包装方式：袋
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：60pF@25V
功率：400mW€1W
连续漏极电流：230mA
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0104N3-G
包装方式：袋
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
连续漏极电流：250mA
功率：1W
导通电阻：8Ω@500mA，10V
阈值电压：3.5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0106N3-G
包装方式：袋
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：250mA
功率：1W
导通电阻：8Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
阈值电压：3.5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN3205N3-G
包装方式：袋
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
输入电容：300pF@25V
导通电阻：300mΩ@3A，10V
漏源电压：50V
功率：1W
类型：N沟道
阈值电压：2.4V@10mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
