品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10090BLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@6A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT18M100B
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4845pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@9A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10021JFLL
工作温度:-55℃~150℃
功率:694W
阈值电压:5V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:395nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9750pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@18.5A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT19F100J
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@16A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10090BLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@6A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APTM100UM45DAG
工作温度:-40℃~150℃
功率:5000W
阈值电压:5V@30mA
栅极电荷:1602nC@10V
包装方式:散装
输入电容:42700pF@25V
连续漏极电流:215A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@107.5A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT41F100J
工作温度:-55℃~150℃
功率:960W
阈值电压:5V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:570nC@10V
包装方式:管件
输入电容:18500pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@33A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10078BLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:403W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2525pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@7A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APTM100A13SCG
工作温度:-40℃~150℃
功率:1250W
阈值电压:5V@6mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:15200pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:156mΩ@32.5A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10090BLLG
输入电容:1969pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:1000V
连续漏极电流:12A
导通电阻:950mΩ@6A,10V
包装方式:管件
阈值电压:5V@1mA
功率:298W
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT14F100B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3965pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@7A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APTML100U60R020T1AG
工作温度:-40℃~150℃
功率:520W
阈值电压:4V@2.5mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@10A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10025JVR
阈值电压:4V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:990nC@10V
包装方式:管件
输入电容:18000pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10045JLL
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4350pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@11.5A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1001RBVRG
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3660pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@500mA,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT37M100L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1135W
阈值电压:5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:305nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9835pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@18A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APTM100H45SCTG
工作温度:-40℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@2.5mA
包装方式:散装
输入电容:4350pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:540mΩ@9A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT29F100B2
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8500pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@16A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT18M100B
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4845pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@9A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10045JLL
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4350pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@11.5A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT41F100J
工作温度:-55℃~150℃
功率:960W
阈值电压:5V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:570nC@10V
包装方式:管件
输入电容:18500pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@33A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1001RBVRG
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3660pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@500mA,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT14F100B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3965pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@7A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT37M100L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1135W
阈值电压:5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:305nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9835pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@18A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10078BLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:403W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2525pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@7A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10021JFLL
工作温度:-55℃~150℃
功率:694W
阈值电压:5V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:395nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9750pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@18.5A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存: