采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC360SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：78W
阈值电压：3.14V@500µA
栅极电荷：21nC@20V
包装方式：管件
输入电容：255pF@1000V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC360SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：78W
阈值电压：3.14V@500µA
栅极电荷：21nC@20V
包装方式：管件
输入电容：255pF@1000V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT1001RSVRG
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：225nC@10V
输入电容：3.66nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@500mA，10V
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC360SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：78W
阈值电压：3.14V@500µA
栅极电荷：21nC@20V
包装方式：管件
输入电容：255pF@1000V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC360SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：78W
阈值电压：3.14V@500µA
栅极电荷：21nC@20V
包装方式：管件
输入电容：255pF@1000V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC360SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：78W
阈值电压：3.14V@500µA
栅极电荷：21nC@20V
包装方式：管件
输入电容：255pF@1000V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC360SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：78W
阈值电压：3.14V@500µA
栅极电荷：21nC@20V
包装方式：管件
输入电容：255pF@1000V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT11N80BC3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@680µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1585pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@7.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT1001RBVRG
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3660pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@500mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT1001RBVRG
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3660pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@500mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
漏源电压：3.3kV
功率：131W
类型：1个N沟道
连续漏极电流：11A
输入电容：579pF@2400V
栅极电荷：37nC@20V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：520mΩ@5A，20V
阈值电压：2.97V@1mA
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
