采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND01K1-G
工作温度：-25℃~125℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0606L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND01K1-G
工作温度：-25℃~125℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
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功率：360mW
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输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
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连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
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阈值电压：2V@1mA
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连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
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阈值电压：2V@1mA
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类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
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导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：330mA
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类型：N沟道
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漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
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