品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2530N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@150mA,0V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2130K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:85mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,4.5V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2530N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@150mA,0V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT30M70BVRG
工作温度:-55℃~150℃
功率:370W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5870pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@500mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2530N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@150mA,0V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2130K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:85mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,4.5V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2530N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@150mA,0V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2530N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@150mA,0V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2130K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:85mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,4.5V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2130K1-G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
类型:N沟道
输入电容:50pF@25V
导通电阻:25Ω@120mA,4.5V
连续漏极电流:85mA
ECCN:EAR99
漏源电压:300V
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2530N8-G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:300pF@25V
类型:N沟道
功率:1.6W
ECCN:EAR99
漏源电压:300V
导通电阻:12Ω@150mA,0V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2130K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:85mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,4.5V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2130K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:85mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,4.5V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2530N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@150mA,0V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT30M70BVRG
工作温度:-55℃~150℃
功率:370W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5870pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@500mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT30M70BVRG
导通电阻:70mΩ@500mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:5870pF@25V
包装方式:管件
功率:370W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
连续漏极电流:48A
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存: