品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ARF461BG
功率:150W
ECCN:EAR99
包装方式:散装
类型:1个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ARF465AG
功率:150W
ECCN:EAR99
包装方式:散装
类型:1个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSCSM120SKM31CTBL1NG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:310W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:232nC@20V
包装方式:散装
输入电容:3.02nF@1000V
连续漏极电流:79A
类型:1个N沟道
导通电阻:31mΩ@40A,20V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC400SMA330B4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:2.97V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@20V
包装方式:散装
输入电容:579pF@2400V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@5A,20V
漏源电压:3.3kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC400SMA330B4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:2.97V@1mA
栅极电荷:37nC@20V
包装方式:散装
输入电容:579pF@2400V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@5A,20V
漏源电压:3.3kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC400SMA330B4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:2.97V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@20V
包装方式:散装
输入电容:579pF@2400V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@5A,20V
漏源电压:3.3kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ARF461AG
功率:150W
ECCN:EAR99
包装方式:散装
类型:1个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC400SMA330B4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:2.97V@1mA
栅极电荷:37nC@20V
包装方式:散装
输入电容:579pF@2400V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@5A,20V
漏源电压:3.3kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC400SMA330B4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:2.97V@1mA
栅极电荷:37nC@20V
包装方式:散装
输入电容:579pF@2400V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@5A,20V
漏源电压:3.3kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC400SMA330B4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:2.97V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@20V
包装方式:散装
输入电容:579pF@2400V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@5A,20V
漏源电压:3.3kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):1psc
规格型号(MPN):ARF461AG
功率:150W
类型:1个N沟道
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC400SMA330B4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:2.97V@1mA
栅极电荷:37nC@20V
包装方式:散装
输入电容:579pF@2400V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@5A,20V
漏源电压:3.3kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC400SMA330B4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:2.97V@1mA
栅极电荷:37nC@20V
包装方式:散装
输入电容:579pF@2400V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@5A,20V
漏源电压:3.3kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSCSM120DAM31CTBL1NG
ECCN:EAR99
包装方式:散装
连续漏极电流:79A
类型:1个N沟道
导通电阻:31mΩ@40A,20V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ARF461BG
功率:150W
ECCN:EAR99
包装方式:散装
类型:1个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC400SMA330B4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:2.97V@1mA
栅极电荷:37nC@20V
包装方式:散装
输入电容:579pF@2400V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@5A,20V
漏源电压:3.3kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC400SMA330B4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:2.97V@1mA
栅极电荷:37nC@20V
包装方式:散装
输入电容:579pF@2400V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@5A,20V
漏源电压:3.3kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC400SMA330B4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:2.97V@1mA
栅极电荷:37nC@20V
包装方式:散装
输入电容:579pF@2400V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@5A,20V
漏源电压:3.3kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ARF461AG
功率:150W
ECCN:EAR99
包装方式:散装
类型:1个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC400SMA330B4
工作温度:-55℃~+150℃
功率:131W
阈值电压:2.97V@1mA
栅极电荷:37nC@20V
包装方式:散装
输入电容:579pF@2400V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@5A,20V
漏源电压:3.3kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC400SMA330B4
漏源电压:3.3kV
功率:131W
类型:1个N沟道
连续漏极电流:11A
输入电容:579pF@2400V
栅极电荷:37nC@20V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:520mΩ@5A,20V
阈值电压:2.97V@1mA
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存: