采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5325N8-G
功率：1.6W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：316mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5325N3-G
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：215mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5325K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN5325N3-G
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：215mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN5325K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN5325N3-G
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：215mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN5325N3-G
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：215mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN5325N8-G
功率：1.6W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：316mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN5325K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
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功率：1.6W
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连续漏极电流：316mA
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：TN5325K1-G
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功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
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输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
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规格型号(MPN)：TN5325K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
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输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
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规格型号(MPN)：TN5325N3-G
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：215mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
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功率：360mW
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类型：N沟道
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功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
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类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN5325N3-G
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：215mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN5325N8-G
功率：1.6W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：316mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
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行业应用：工业,汽车
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功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：215mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：215mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN5325K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
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行业应用：工业,汽车
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功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：215mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5325K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN5325N3-G
功率：740mW
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包装方式：袋
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：215mA
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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