采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT77N60JC3
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：3.9V@5.4mA
栅极电荷：640nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13600pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@60A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT34F60B
工作温度：-55℃~150℃
功率：624W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT47N60BC3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.9V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7015pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@30A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT60N60BCSG
工作温度：-55℃~150℃
功率：431W
阈值电压：3.9V@3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7200pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@44A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT60M60JLL
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：5V@5mA
栅极电荷：289nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12630pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@35A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT47N60BC3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
类型：N沟道
栅极电荷：260nC@10V
输入电容：7015pF@25V
导通电阻：70mΩ@30A，10V
连续漏极电流：47A
阈值电压：3.9V@2.7mA
包装方式：管件
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
包装方式：袋
导通电阻：20Ω@100mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@2mA
输入电容：150pF@25V
漏源电压：600V
连续漏极电流：160mA
功率：1W
类型：N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：40psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT34F60S
工作温度：-55℃~150℃
功率：624W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT47M60J
工作温度：-55℃~150℃
功率：540W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：330nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13190pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@33A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT60M75L2FLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：893W
阈值电压：5V@5mA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8930pF@25V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@36.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT40N60JCU2
工作温度：-55℃~150℃
功率：290W
阈值电压：3.9V@1mA
栅极电荷：259nC@10V
包装方式：散装
输入电容：7015pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT43M60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：780W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：215nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8590pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT77N60BC6
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：3.6V@2.96mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13600pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@44.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT60M60JLL
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：70A
功率：694W
阈值电压：5V@5mA
类型：N沟道
输入电容：12630pF@25V
包装方式：管件
导通电阻：60mΩ@35A，10V
漏源电压：600V
栅极电荷：289nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
