采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DN2450K4-G
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功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：200pF@25V
功率：2.5W
类型：N沟道
连续漏极电流：350mA
导通电阻：10Ω@300mA，0V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G-P002
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@500µA
输入电容：60pF@25V
功率：1W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN0110N3-G-P002
阈值电压：2V@500µA
包装方式：卷带（TR）
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导通电阻：3Ω@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
类型：N沟道
连续漏极电流：350mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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