采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0610N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0610N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10KN3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：640mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0610N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0610N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10KN3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10KN3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0300L-G-P002
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：190pF@20V
类型：N沟道
连续漏极电流：640mA
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G-P002
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2V@500µA
输入电容：60pF@25V
功率：1W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN3205N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@10mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@3A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0610N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0610N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10KN3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G-P002
阈值电压：2V@500µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
导通电阻：3Ω@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
类型：N沟道
连续漏极电流：350mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
