品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2106K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2106K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.5V@250µA
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连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2106K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2106K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: