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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：30mA
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导通电阻：1000Ω@500µA，0V
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.6W
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：30mA
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导通电阻：1000Ω@500µA，0V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
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输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
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功率：1.6W
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输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N8-G
漏源电压：500V
输入电容：10pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
功率：1.6W
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N8-G
漏源电压：500V
输入电容：10pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1kΩ@500μA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N8-G
漏源电压：500V
输入电容：10pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
功率：1.6W
包装清单：商品主体 * 1
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