品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2410L-G-P013
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:带盒(TB)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0610N3-G-P013
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:带盒(TB)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@750mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2410L-G-P014
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:带盒(TB)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0610N3-G-P013
导通电阻:1.5Ω@750mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
输入电容:150pF@25V
功率:1W
类型:N沟道
包装方式:带盒(TB)
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: