品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2504N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@20V
连续漏极电流:890mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2104N3-G-P003
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:175mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0104N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.6V@500µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2104K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2504N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@20V
连续漏极电流:890mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2504N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@20V
连续漏极电流:890mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2504N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@20V
连续漏极电流:890mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2104K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2104K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0104N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.6V@500µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0104N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.6V@500µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2504N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@20V
连续漏极电流:890mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2104K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2104N3-G-P003
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:175mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2504N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@20V
连续漏极电流:890mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2104K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2104K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0104N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.6V@500µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2104K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0104N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.6V@500µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0104N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.6V@500µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0104N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.6V@500µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2104N3-G-P003
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:175mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2104K1-G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:360mW
连续漏极电流:160mA
阈值电压:2V@1mA
类型:P沟道
输入电容:60pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0104N8-G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:70pF@20V
导通电阻:2Ω@1A,10V
阈值电压:1.6V@500µA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:630mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2504N8-G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:890mA
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
类型:N沟道
阈值电压:1.6V@1mA
输入电容:125pF@20V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0104N8-G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:1.6V@500µA
类型:N沟道
功率:1.6W
输入电容:70pF@20V
连续漏极电流:630mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0104N8-G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:1.6V@500µA
类型:N沟道
功率:1.6W
输入电容:70pF@20V
连续漏极电流:630mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2104K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0104N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.6V@500µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@20V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: