采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT7F120S
工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2565pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13F120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4765pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@7A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT12060LVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：4V@2.5mA
栅极电荷：650nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9500pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@10A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13F120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4765pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@7A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT7M120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2565pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：18psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC40SM120JCU3
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：2.7V@1mA
栅极电荷：137nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@1000V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT1204R7BFLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：135W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：715pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@1.75A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT7M120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2565pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT7F120S
工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2565pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT14M120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4765pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@7A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT17F120J
工作温度：-55℃~150℃
功率：545W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9670pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@14A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13F120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
栅极电荷：145nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
导通电阻：1.4Ω@7A，10V
包装方式：管件
连续漏极电流：14A
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：4765pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT7F120S
栅极电荷：80nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
类型：N沟道
漏源电压：1200V
导通电阻：2.4Ω@3A，10V
包装方式：管件
阈值电压：5V@1mA
输入电容：2565pF@25V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT7M120B
栅极电荷：80nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
连续漏极电流：8A
包装方式：管件
阈值电压：5V@1mA
输入电容：2565pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13F120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
栅极电荷：145nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
导通电阻：1.4Ω@7A，10V
包装方式：管件
连续漏极电流：14A
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：4765pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT24M120B2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8370pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@12A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT1201R2BLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：400W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@6A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT14M120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4765pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@7A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：13psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC70SM120JCU2
工作温度：-55℃~150℃
功率：395W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：232nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3020pF@1000V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13F120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4765pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@7A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT7M120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2565pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT1204R7BFLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：135W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：715pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@1.75A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT7M120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2565pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
