品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3.5V@10mA
包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:640mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7008-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2N6660
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:50pF@24V
连续漏极电流:410mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0606N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2222LL-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@500µA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10KN3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610T-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0606N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2222LL-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3.5V@10mA
包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:640mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2222LL-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0606N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3.5V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:640mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N3-G-P003
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3.5V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:640mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2N6660
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:50pF@24V
连续漏极电流:410mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3.5V@10mA
包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:640mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7008-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10KN3-G-P002
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: