品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G-P003
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
包装方式:袋
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G-P014
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
ECCN:EAR99
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G-P002
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G-P002
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G-P003
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
包装方式:袋
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G-P014
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
ECCN:EAR99
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G-P003
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
包装方式:袋
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
包装方式:袋
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
包装方式:袋
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
包装方式:袋
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G-P014
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
ECCN:EAR99
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
包装方式:袋
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
包装方式:袋
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G-P014
功率:740mW
漏源电压:500V
输入电容:10pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:剪切带(CT)
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
包装方式:袋
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G-P002
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G-P014
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
包装方式:袋
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
包装方式:袋
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
包装方式:袋
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
包装方式:袋
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
包装方式:袋
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G-P003
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: