品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2540N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:175mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2640LG-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@2mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2640LG-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@2mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N5-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:15W
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2640LG-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@2mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2640K4-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@2mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2640N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2V@2mA
包装方式:袋
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN4012L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@1mA
包装方式:袋
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@100mA,4.5V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2540N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:175mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N3-G-P003
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2540N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:175mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2540N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:175mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT40M35JVR
工作温度:-55℃~150℃
功率:700W
阈值电压:4V@5mA
栅极电荷:1065nC@10V
包装方式:管件
输入电容:20160pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@46.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2640N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2V@2mA
包装方式:袋
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N5-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:15W
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2540N3-G-P003
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,0V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存: