品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN3135K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:72mA
类型:N沟道
导通电阻:35Ω@150mA,0V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:13mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2124K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:134mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@120mA,4.5V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2130K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:85mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,4.5V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN5335K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:110mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@200mA,10V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2110K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN3135K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:72mA
类型:N沟道
导通电阻:35Ω@150mA,0V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2124K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:134mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@120mA,4.5V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND250K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:13mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN3135K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:72mA
类型:N沟道
导通电阻:35Ω@150mA,0V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN5335K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:110mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@200mA,10V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2110K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2130K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:85mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,4.5V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN5335K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:110mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@200mA,10V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:13mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2124K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:134mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@120mA,4.5V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2110K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2124K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:134mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@120mA,4.5V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2110K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:13mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:13mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2106K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2130K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:85mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,4.5V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2110K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN5325K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@1A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN5325K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@1A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: