品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN120ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:670mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D125-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.7A€7.4A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@20V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@2.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV88ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV88ENER
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV250EPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@20V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@1.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV250EPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@20V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@1.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D125-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.7A€7.4A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@20V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@2.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV88ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65UNER
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65UNER
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@20V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@2.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65UNER
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV88ENER
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65UNER
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65UNER
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV250EPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@20V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@1.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65UNER
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV88ENER
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV250EPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@20V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@1.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV250EPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@20V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@1.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV88ENER
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV250EPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@20V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@1.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D125-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.7A€7.4A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV250EPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@20V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@1.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV88ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@20V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@2.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65UNER
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65UNER
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: