销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：80V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

功率：250mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：40V

功率：250mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：180@300mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：750mV@6mA，600mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：600mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

功率：250mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：140MHz

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，5V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：750mV@5mA，0.3V

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：2个NPN-预偏置

电阻比：21

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

功率：250mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：750mV@5mA，0.3V

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：2个NPN-预偏置

电阻比：21

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

输入电阻：2.2kΩ

最大输入电压(VI(off))：1.2V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

电阻比：21

ECCN：EAR99

最小输入电压(VI(on))：1.6V@2mA，0.3V

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

特征频率：180MHz

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

功率：360mW

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：80V

功率：235mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：80V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

功率：250mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

输入电阻：2.2kΩ

最大输入电压(VI(off))：1.2V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

电阻比：21

ECCN：EAR99

最小输入电压(VI(on))：1.6V@2mA，0.3V

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

特征频率：170MHz

集射极击穿电压(Vceo)：80V

功率：250mW

包装方式：卷带（TR）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：100nA

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10µA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：100nA

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10µA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：750mV@5mA，0.3V

输入电阻：2.2kΩ

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

晶体管类型：2个NPN-预偏置

电阻比：21

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：100nA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

ECCN：EAR99

功率：250mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：750mV@5mA，0.3V

输入电阻：2.2kΩ

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

电阻比：21

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：750mV@5mA，0.3V

输入电阻：2.2kΩ

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

电阻比：21

ECCN：EAR99

功率：300mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

功率：250mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1