销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：3170，"19+"：8400，"21+"：100000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

特征频率：230MHz

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

特征频率：180MHz

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：57000，"20+"：90000，"21+"：53900}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：3000，"20+"：18000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

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输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

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输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

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功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：70000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

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ECCN：EAR99

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：40000，"18+"：60000，"20+"：10000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：80000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

特征频率：180MHz

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1