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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

集电极电流(Ic)：20mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

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生产批次：{"18+"：80000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

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特征频率：230MHz

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

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功率：250mW

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：250mW

晶体管类型：PNP-预偏压

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

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晶体管类型：NPN-预偏压

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

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销售单位：个

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

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晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

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ECCN：EAR99

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

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包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：100kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1