采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7628-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R4-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.42mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7628-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-40YSDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R4-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.42mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-40YSDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-40YSDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-40YSDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4734}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7611-55A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3093pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1863，"19+"：800，"22+"：7200，"MI+"：1235}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9628-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4293pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R4-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.42mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7628-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R4-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：54.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.42mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7628-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R4-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.42mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R2-40YSDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：4734}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7611-55A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3093pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1863，"19+"：800，"22+"：7200，"MI+"：1235}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9628-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4293pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R4-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.42mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R4-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.42mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：21000，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R4-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.42mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：21000，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R4-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.42mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
