采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：45000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：280mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290UCEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：725mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290UCEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：725mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：280mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290UCEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：725mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：280mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290UCEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：725mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290UCEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：725mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290UCEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：725mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290UCEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：725mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290UCEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：725mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：280mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290UCEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：725mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290UCEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：725mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：125000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：180MHz
功率：280mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：90000，"22+"：10000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：280mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：280mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：121800}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：280mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：124966}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：180MHz
功率：280mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"22+"：15000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：280mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：267358}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：280mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：280mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：240000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：280mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
