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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：323mW€554mW
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：3.6nC@10V
输入电容：101pF@30V
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37ENER
工作温度：-55℃~+175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55ENEAX
功率：1.65W
阈值电压：2.7V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37ENER
工作温度：-55℃~+175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：323mW€554mW
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：3.6nC@10V
输入电容：101pF@30V
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：323mW€554mW
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：3.6nC@10V
输入电容：101pF@30V
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：640mW€5.8W
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：3.8nC@10V
输入电容：110pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：218mΩ@1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，3.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：640mW€5.8W
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：3.8nC@10V
输入电容：110pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：218mΩ@1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37ENER
工作温度：-55℃~+175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55ENEAX
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：56mΩ@10V，10A
类型：1个N沟道
功率：1.65W
阈值电压：2.7V@250μA
ECCN：EAR99
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37ENER
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
输入电容：450pF@30V
功率：710mW€8.3W
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
阈值电压：2.7V@250μA
连续漏极电流：3.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37ENER
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
输入电容：450pF@30V
功率：710mW€8.3W
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
阈值电压：2.7V@250μA
连续漏极电流：3.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：218mΩ@1.6A，10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
输入电容：110pF@30V
阈值电压：2.7V@250μA
功率：640mW€5.8W
漏源电压：60V
栅极电荷：3.8nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
