品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:148W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2404pF@50V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2754pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:148W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2404pF@50V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2754pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2754pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:148W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2404pF@50V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:148W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2404pF@50V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R7EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1638pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R7EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1638pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R7EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1638pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R7EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1638pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2754pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R7EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1638pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R7EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1638pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R7EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1638pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2754pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R7EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1638pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:148W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2404pF@50V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2754pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:148W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2404pF@50V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2754pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:148W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2404pF@50V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:148W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2404pF@50V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2754pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:148W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2404pF@50V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R7EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1638pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12R7EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1638pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@8.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2754pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:148W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2404pF@50V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2754pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: