销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500mA，500μA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@10V，500mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：45V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500mA，500μA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@10V，500mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@10V，500mA

特征频率：200MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500mA，500μA

包装清单：商品主体 * 1