品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 10mA,5V
电阻比:47千欧
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
输入电阻:2.2千欧
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,5V
最大输入电压(VI(off)):1.1V@100μA,5V
输入电阻:100kΩ
最小输入电压(VI(on)):1.5V@1mA,0.3V
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
电阻比:1
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最大输入电压(VI(off)):1.1V@100μA,5V
晶体管类型:2个NPN-预偏置
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@10mA,5V
最小输入电压(VI(on)):1.9V@20mA,0.3V
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
电阻比:1
输入电阻:4.7kΩ
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
电阻比:4.7
包装方式:卷带(TR)
最大输入电压(VI(off)):700mV@100μA,5V
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
输入电阻:10kΩ
最小输入电压(VI(on)):800mV@1mA,0.3V
ECCN:EAR99
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 10mA,5V
电阻比:47千欧
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
输入电阻:2.2千欧
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:4.7kΩ
最大输入电压(VI(off)):600mV@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V
电阻比:10
ECCN:EAR99
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:2个PNP-预偏置
最小输入电压(VI(on)):900mV@5mA,0.3V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V
ECCN:EAR99
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:22kΩ
最大输入电压(VI(off)):1.1V@100μA,5V
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
电阻比:1
包装方式:卷带(TR)
最小输入电压(VI(on)):1.7V@5mA,0.3V
集电极电流(Ic):100mA
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
输入电阻:4.7kΩ
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:2个PNP-预偏置
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 20mA,5V
集电集截止电流(Icbo):1µA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV @ 500µA,10mA
输入电阻:2.2千欧
功率:300mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV @ 250µA,5mA
电阻比:47千欧
集电集截止电流(Icbo):1µA
输入电阻:10千欧
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
最小输入电压(VI(on)):800mV@1mA,0.3V
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
功率:300mW
电阻比:4.7
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
最大输入电压(VI(off)):700mV@100μA,5V
集电极电流(Ic):100mA
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,5V
ECCN:EAR99
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最大输入电压(VI(off)):1.1V@100μA,5V
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
电阻比:1
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
输入电阻:10kΩ
最小输入电压(VI(on)):1.8V@10mA,0.3V
ECCN:EAR99
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,5V
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:2.2kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
晶体管类型:2个NPN-预偏置
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):750mV@5mA,0.3V
输入电阻:2.2kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
最大输入电压(VI(off)):600mV@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:2个NPN-预偏置
电阻比:21
ECCN:EAR99
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最小输入电压(VI(on)):750mV@5mA,0.3V
输入电阻:2.2kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
最大输入电压(VI(off)):600mV@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:2个NPN-预偏置
电阻比:21
ECCN:EAR99
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:22kΩ
最大输入电压(VI(off)):1.1V@100μA,5V
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
晶体管类型:2个NPN-预偏置
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
电阻比:1
包装方式:卷带(TR)
最小输入电压(VI(on)):1.7V@5mA,0.3V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,5V
输入电阻:2.2kΩ
最大输入电压(VI(off)):1.2V@100μA,5V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
电阻比:21
ECCN:EAR99
最小输入电压(VI(on)):1.6V@2mA,0.3V
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最大输入电压(VI(off)):1.1V@100μA,5V
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
电阻比:1
包装方式:卷带(TR)
输入电阻:10kΩ
最小输入电压(VI(on)):1.8V@10mA,0.3V
晶体管类型:2个NPN-预偏置
ECCN:EAR99
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最大输入电压(VI(off)):1.1V@100μA,5V
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
电阻比:1
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
输入电阻:10kΩ
最小输入电压(VI(on)):1.8V@10mA,0.3V
ECCN:EAR99
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
最大输入电压(VI(off)):900mV@100μA,5V
电阻比:2.1
输入电阻:4.7kΩ
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):50@10mA,5V
晶体管类型:2个NPN-预偏置
ECCN:EAR99
功率:300mW
最小输入电压(VI(on)):1.5V@20mA,0.3V
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V
晶体管类型:2个NPN-预偏置
功率:300mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存: