生产批次：{"19+"：87000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：4.7千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 140 @ 1A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，1.5A

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，60V

特征频率：150MHz

功率：760mW

晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：87000}

销售单位：个

特征频率：150MHz

晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP

输入电阻：4.7千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 10mA，5V / 140 @ 1A，2V

包装方式：卷带（TR）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A

ECCN：EAR99

电阻比：4.7千欧

功率：760mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

集电极电流(Ic)：100mA，1.5A

集射极击穿电压(Vceo)：50V，60V

包装清单：商品主体 * 1