品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:190pF@10V
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:276pF@15V
连续漏极电流:3.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:43mΩ@3.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:190pF@10V
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:190pF@10V
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:190pF@10V
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:10nC@10V
连续漏极电流:1.9A
漏源电压:30V
功率:830mW
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,1A
阈值电压:2V@1mA
工作温度:-65℃~+150℃
输入电容:190pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: