品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30BLEJ
工作温度:-55℃~175℃
功率:401W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:228nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14934pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR90-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:243nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14850pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R4-30BLE,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:178W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4682pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK661R8-30C,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:2.8V@1mA
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栅极电荷:168nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10918pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK661R8-30C,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@10V
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输入电容:10918pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR90-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
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输入电容:14850pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R4-30BLE,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:178W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4682pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30BLEJ
工作温度:-55℃~175℃
功率:401W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:228nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14934pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3999,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-30EL,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:338W
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连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK661R6-30C,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:229nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14964pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK661R8-30C,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
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栅极电荷:168nC@10V
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输入电容:10918pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-30PL,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:338W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:243nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14850pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30BLEJ
工作温度:-55℃~175℃
功率:401W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:228nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14934pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR90-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:243nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14850pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK661R8-30C,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10918pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30BLEJ
工作温度:-55℃~175℃
功率:401W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:228nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14934pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R4-30BLE,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:178W
阈值电压:2.15V@1mA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:4682pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R4-30BLE,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:178W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4682pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R4-30BLE,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:178W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4682pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R4-30BLE,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:178W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4682pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30BLEJ
工作温度:-55℃~175℃
功率:401W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:228nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14934pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30BLEJ
工作温度:-55℃~175℃
功率:401W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:228nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14934pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R4-30BLE,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:178W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4682pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR90-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:243nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14850pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN1R5-30BLEJ
栅极电荷:228nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
输入电容:14934pF@15V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.5mΩ@25A,10V
连续漏极电流:120A
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
功率:401W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN3R4-30BLE,118
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:81nC@10V
功率:178W
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4682pF@15V
连续漏极电流:120A
阈值电压:2.15V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
生产批次:{"20+":3200}
规格型号(MPN):BUK661R8-30C,118
输入电容:10918pF@25V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:263W
栅极电荷:168nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.8V@1mA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN3R4-30BLE,118
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:81nC@10V
功率:178W
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4682pF@15V
连续漏极电流:120A
阈值电压:2.15V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3999,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-30EL,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:338W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:243nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14850pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30BLEJ
工作温度:-55℃~175℃
功率:401W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:228nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14934pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: