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    40V
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    栅极电荷
    连续漏极电流
    品牌: NEXPERIA
    类型: 1个N沟道
    漏源电压: 40V
    工作温度: -55℃~+150℃
    当前匹配商品:5
    商品信息
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订数1488000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订数1488000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:460mW€5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:3.6nC@10V

    输入电容:170pF@20V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,1.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订数100个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订数100个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:460mW€5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:3.6nC@10V

    输入电容:170pF@20V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,1.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R0-40YLDX 起订数3000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R0-40YLDX 起订数3000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:198W

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:127nC@10V

    输入电容:8.845nF@20V

    连续漏极电流:280A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@10V,25A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:460mW€5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:3.6nC@10V

    输入电容:170pF@20V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,1.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV130ENEAR 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:460mW€5W

    栅极电荷:3.6nC@10V

    阈值电压:2.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    输入电容:170pF@20V

    连续漏极电流:2.1A

    导通电阻:120mΩ@10V,1.5A

    包装清单:商品主体 * 1

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