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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN230ENEX
工作温度：150℃
功率：475mW€3.9W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB100ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：157pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMPB100ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：157pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMN230ENEX
工作温度：150℃
功率：475mW€3.9W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMPB100ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：157pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMN230ENEX
工作温度：150℃
功率：475mW€3.9W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMPB100ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：157pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB100ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：157pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN230ENEX
工作温度：150℃
功率：475mW€3.9W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB100ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：157pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB100ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：157pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN230ENEX
工作温度：150℃
功率：475mW€3.9W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB100ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：157pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB100ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：157pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：3A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：5nC@10V
ECCN：EAR99
输入电容：180pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：3A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：5nC@10V
输入电容：180pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB100ENEX
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：157pF@15V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：5.1A
功率：3.3W
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：72mΩ@3.9A，10V
栅极电荷：5nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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