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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB215ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€15.6W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@40V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB215ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€15.6W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@40V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB215ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€15.6W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@40V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：PMPB215ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€15.6W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：7.2nC@10V
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输入电容：215pF@40V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.9A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：PMPB215ENEAX
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功率：1.6W€15.6W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@40V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.9A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMPB215ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€15.6W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@40V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.9A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH108，215
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功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
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输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：BSH108，215
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功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
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输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMPB215ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€15.6W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@40V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.9A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMPB215ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€15.6W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@40V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB215ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€15.6W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@40V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
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