销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：140MHz

功率：300mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：900mV@5mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.5V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：900mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.5V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：900mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：170，"17+"：850，"19+"：1120，"21+"：561000}

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.5V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：900mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.1

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.5V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：900mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.5V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：900mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.1

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：1

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：1

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：900mV@5mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：1

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：900mV@5mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：1

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：1

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：1.9V@20mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：1.1V@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：1

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：900mV@5mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

最小输入电压(VI(on))：900mV@5mA，0.3V

最大输入电压(VI(off))：600mV@100μA，5V

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：2个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1