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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN20ENAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：652mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：582pF@20V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：582pF@20V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.2A，10V
漏源电压：40V
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阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@4.2A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
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输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
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连续漏极电流：4.2A
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输入电容：582pF@20V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.2A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：4.2A
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导通电阻：43mΩ@4.2A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：4.2A
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导通电阻：43mΩ@4.2A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：4.2A
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连续漏极电流：4.2A
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输入电容：582pF@20V
连续漏极电流：6.2A
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漏源电压：40V
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输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：4.2A
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连续漏极电流：6.2A
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连续漏极电流：6.2A
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输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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生产批次：{"18+"：6232}
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ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@4.2A，10V
漏源电压：60V
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