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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：237000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
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功率：410mW
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包装方式：卷带（TR）
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
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库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMX700ENZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€4.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@30V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@400mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
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输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
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类型：2N沟道（双）
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMX700ENZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€4.7W
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMX700ENZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€4.7W
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栅极电荷：1.1nC@10V
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输入电容：39pF@30V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@400mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMX700ENZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€4.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@10V
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输入电容：39pF@30V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@400mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
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包装方式：卷带（TR）
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMX700ENZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€4.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@30V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@400mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMX700ENZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€4.7W
阈值电压：2.5V@250µA
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类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@400mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMX700ENZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€4.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@400mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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