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    品牌: NEXPERIA
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT670UPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订4000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订4000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT670UPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT670UPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB670UPE,315 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB670UPE,315 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB670UPE,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:680mA

    类型:P沟道

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订800个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订800个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订91个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订91个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT670UPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290UCEAX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290UCEAX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMGD290UCEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:725mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB670UPE,315 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB670UPE,315 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB670UPE,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:680mA

    类型:P沟道

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290UCEAX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290UCEAX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMGD290UCEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:725mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订18个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订18个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

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    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

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    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订9000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订9000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订50个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订50个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290UCEAX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290UCEAX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMGD290UCEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:725mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290UCEAX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290UCEAX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMGD290UCEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:725mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290UCEAX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290UCEAX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMGD290UCEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:725mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290UCEAX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290UCEAX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMGD290UCEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:725mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订17个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订17个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT670UPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB670UPE,315 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB670UPE,315 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB670UPE,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:680mA

    类型:P沟道

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订12000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订12000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT670UPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB670UPE,315 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB670UPE,315 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB670UPE,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:680mA

    类型:P沟道

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB670UPE,315 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB670UPE,315 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB670UPE,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:1.14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:680mA

    类型:P沟道

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290UCEAX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290UCEAX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMGD290UCEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:725mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290UCEAX 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD290UCEAX 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMGD290UCEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:725mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订15000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订15000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订9000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订9000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订18个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH111BKR 起订18个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH111BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:302mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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