品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB670UPE,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290UCEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:725mA€500mA
类型:N和P沟道
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB670UPE,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290UCEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:725mA€500mA
类型:N和P沟道
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290UCEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:725mA€500mA
类型:N和P沟道
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290UCEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:725mA€500mA
类型:N和P沟道
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290UCEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:725mA€500mA
类型:N和P沟道
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290UCEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:725mA€500mA
类型:N和P沟道
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB670UPE,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT670UPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB670UPE,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB670UPE,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:1.14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290UCEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:725mA€500mA
类型:N和P沟道
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290UCEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:725mA€500mA
类型:N和P沟道
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH111BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:302mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@200mA,4.5V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: