品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB120EPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:309pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB120EPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:309pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65ENEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65ENEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65ENEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65ENEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":6000,"22+":37676}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB120EPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:309pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":42000,"21+":54000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB120EPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:309pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65ENEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65ENEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65ENEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB120EPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:309pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB120EPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:309pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB120EPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:309pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB65ENEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB120EPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:309pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB120EPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:309pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB120EPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:309pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB120EPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:309pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB120EPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB120EPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:309pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: