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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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连续漏极电流：3.1A
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栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
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导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
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连续漏极电流：3.1A
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导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
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连续漏极电流：3.1A
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连续漏极电流：3.1A
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规格型号(MPN)：PMN55ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
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栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
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功率：478mW€8.36W
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输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
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导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
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规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
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功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
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规格型号(MPN)：PMN55ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
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栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：3.1A
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功率：478mW€8.36W
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栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
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栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：PMN55ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMN55ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
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栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMN55ENEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
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行业应用：工业,汽车
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功率：560mW€6.25W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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