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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002HWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
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输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002HWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH111BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：302mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@200mA，4.5V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
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