品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN102-200Y,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1568pF@30V
连续漏极电流:21.5A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@12A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN102-200Y,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1568pF@30V
连续漏极电流:21.5A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@12A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN102-200Y,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1568pF@30V
连续漏极电流:21.5A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@12A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"22+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP122,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@750mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:580mW€12.5W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@400mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:580mW€12.5W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@400mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP122,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@750mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN102-200Y,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.7nC@10V
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输入电容:1568pF@30V
连续漏极电流:21.5A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@12A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:580mW€12.5W
阈值电压:2.8V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@400mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN102-200Y,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1568pF@30V
连续漏极电流:21.5A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@12A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP122,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@750mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP122,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@750mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN102-200Y,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1568pF@30V
连续漏极电流:21.5A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@12A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:580mW€12.5W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@400mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:580mW€12.5W
阈值电压:2.8V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@400mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:580mW€12.5W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@400mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:580mW€12.5W
阈值电压:2.8V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@400mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":9000,"22+":21000,"23+":4500,"MI+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN102-200Y,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1568pF@30V
连续漏极电流:21.5A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@12A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:580mW€12.5W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@400mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP122,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@750mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:580mW€12.5W
阈值电压:2.8V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@400mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"22+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP122,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@750mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:580mW€12.5W
阈值电压:2.8V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@400mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:580mW€12.5W
阈值电压:2.8V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@400mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN102-200Y,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1568pF@30V
连续漏极电流:21.5A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@12A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN102-200Y,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1568pF@30V
连续漏极电流:21.5A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@12A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN102-200Y,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1568pF@30V
连续漏极电流:21.5A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@12A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP122,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@750mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP122,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@750mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN102-200Y,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1568pF@30V
连续漏极电流:21.5A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@12A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: