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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF370XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.65nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@25V
连续漏极电流：870mA
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@20V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@20V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD175XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@15V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：252mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@20V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMGD175XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@15V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：252mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@20V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@20V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD175XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@15V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：252mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD175XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：252mΩ@900mA，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@20V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
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功率：400mW
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ECCN：EAR99
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类型：2N沟道（双）
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMGD175XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@15V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：252mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMGD175XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：252mΩ@900mA，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMGD175XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
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连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：252mΩ@900mA，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：45pF@20V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：27500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF370XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：0.65nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@25V
连续漏极电流：870mA
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD175XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@15V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：252mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@20V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD175XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
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包装方式：卷带（TR）
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：252mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD175XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@15V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：252mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD175XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
阈值电压：1.25V@250µA
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输入电容：81pF@15V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：252mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@20V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD175XNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：252mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：45pF@20V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@20V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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